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2N4401	文件：303.6 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4401	文件：46.8 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplement:2N4403. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Industrialandconsumerswitchingapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N4401	文件：209.64 Kbytes Page：3 Pages	NPNEXPITAXIALSILICONTRANSISTOR GeneralPurposeTransistor CollectorEmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissiption:Pc(max)=625mW	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
2N4401	文件：80.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNMediumPowerTransistor •Features 1)BVCEO>40V(IC=1mA) 2)ComplementstheUMT4403/SST4403/MMST4403/PN4403.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2N4401	文件：29.52 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4401	文件：111.03 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORSNPN FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications. ♦Ascomplementarytype,thePNPtransistor2N4403isrecommended. ♦Onspecialrequest,thistransistorisalsomanufacturedinthepinconfigurationTO-18. ♦Thistransistorisalsoavailable	GE GE Industrial Company	GE
2N4401	文件：182.84 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2N4401	文件：96.87 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtaped	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
2N4401	文件：66.34 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N4401	文件：122.5 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4401	文件：153.64 Kbytes Page：6 Pages	NPNPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS 2N4400,4401NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS 2N4402,4403PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
2N4401	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N4401	文件：88.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNMediumPowerTransistor(Switching) •Features 1)BVCEO>40V(IC=1mA) 2)ComplementstheUMT4403/SST4403/MMST4403/PN4403.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2N4401	文件：131.15 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N4401	文件：93.3 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPuposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N4401	文件：202.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER625mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=600mA •Complimentary(PNP)device:2N4403 •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirective	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N4401	文件：588.66 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeSwitchingTransistors [multicomp] Features: •NPN/PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistors. •GeneralpurposeSwitchingApplications. •2N4401TypeNPN. •2N4403TypePNP.	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
2N4401	文件：218.61 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalGeneralPurposeTransistors(NPN) SmallSignalGeneralPurposeTransistors(NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialTransistorforSwitchingandAmplifierApplications	TAITRON TAITRON	TAITRON
2N4401	文件：324.7 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistorPlastic-EncapsulateTransistors Features PowerDissipation	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2N4401	文件：215.23 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM

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详细参数

型号：
2N4401RA
功能描述：
两极晶体管 - BJT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N4401RA供应商更新时间2024-5-21 17:33:00

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