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2N3906TFR	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3906U	文件：795.52 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906U	文件：186.48 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ●LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. ●ExcellentDCCurrentGainLinearity. ●LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. ●LowCollector	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906U	文件：21.25 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906V	文件：422.71 Kbytes Page：1 Pages	VSMPACKAGE GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
G2N3906	文件：206.66 Kbytes Page：1 Pages	TheG2N3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
G2N3906	文件：200.26 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
H2N3906	文件：37 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature.............................................................-55~+150°C JunctionTemperature...........................	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
PJ2N3906	文件：195.08 Kbytes Page：3 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PJ2N3906CT	文件：195.08 Kbytes Page：3 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

详细参数

型号：
2N3906TF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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