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2N3906	文件：145.93 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3906	文件：46.96 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:2N3904. FEATURES 1.Lowcurrent(max.200mA) 2.Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS 1.High-speedswitchinginindustrialapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N3906	文件：304.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
2N3906	文件：169.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>−40V(IC=−1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2N3906	文件：171.48 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications?	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
2N3906	文件：49.83 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3906	文件：113.13 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORSPNP FEATURES ♦PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications. ♦Ascomplementarytype,theNPNtransistor2N3904isrecommended. ♦Onspecialrequest,thistransistorisalsomanufacturedinthepinconfigurationTO-18. ♦Thistransistorisalsoavailableinthe	GE GE Industrial Company	GE
2N3906	文件：191.79 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •LowCollectorOutputCa	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906	文件：93.79 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●Capableof600mWofPowerDisspationand200mAIc ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivityLevel1 ●ThroughHolePackage ●Marking:Typenumber	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N3906	文件：52.86 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralsmallsignalapplicationSwitchingapplication) Descriptions 1.Generalsmallsignalapplication 2.Switchingapplication Features 1.Lowcollectorsaturationvoltage 2.Collectoroutputcapacitance 3.Complementarypairwith2N3904	AUK AUK	AUK
2N3906	文件：99.03 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors Si-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92(10D3) •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
2N3906	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N3906	文件：45.96 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR ■TO-92PACKAGESUITABLEFORTHROUGH-HOLEPCBASSEMBLY ■THENPNCOMPLEMENTARYTYPEIS2N3904 APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORTVANDHOMEAPPLIANCEEQUIPMENT ■SMALLLOADSWITCHTRANSISTORWITHHIGHGAINANDLOWSATURATIO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N3906	文件：101.93 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3906	文件：569.41 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2N3906	文件：81.91 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3906	文件：106.24 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAPPLIATION GENERALPURPOSEAPPLIATION ■FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V ComplementarytoUTC2N3904	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N3906	文件：98.63 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3906	文件：157.84 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER625mWatts FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=-200mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N3906	文件：215.25 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM

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详细参数

型号：
2N3906TF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N3906TF_Q供应商更新时间2024-5-2 14:04:00

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