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2N3879A

NPN Silicon Power 75V, 7A

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N3879 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/526. The device package outline is a modified TO-213AA (similar to a TO-66). The device package outline is a modified TO-213AA (similar to a TO-66).;

Microchip

微芯科技

2N3879A

Package:TO-213AA,TO-66-2;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

Microchip

微芯科技

2N3879SMD

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed

文件:14.66 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

JAN2N3879

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

文件:51.83 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

JANTX2N3879

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/526

文件:62.71 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    2N3879A

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/526

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 400mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    25mA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MOT/RCA
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专业铁帽
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Microchip Technology
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TO-213AA TO-66-2
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更多2N3879A供应商 更新时间2025-11-4 10:50:00