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2DD1664Q	文件：228.01 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 32V • Maximum Continuous Current IC = 1A • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (2DB1132) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoH 文件：228.01 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DD1664Q-13	文件：228.01 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 32V • Maximum Continuous Current IC = 1A • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (2DB1132) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoH 文件：228.01 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DD1664Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 32V 1A SOT89-3	PAM 龙鼎微	PAM
2DD1664R	文件：228.01 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 32V • Maximum Continuous Current IC = 1A • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (2DB1132) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoH 文件：228.01 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
2DD1664Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT 1000W 32Vceo
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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