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2DA1971	文件：281.8 Kbytes Page：7 Pages	400V PNP HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR IN SOT89 Features •BVCEO>-400V •IC=-0.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •HighGainHoldsuphFE≥140@IC=-100mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Standar	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DA1971-13	文件：281.8 Kbytes Page：7 Pages	400V PNP HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR IN SOT89 Features •BVCEO>-400V •IC=-0.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •HighGainHoldsuphFE≥140@IC=-100mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Standar	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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2DA1971Q	文件：378.84 Kbytes Page：7 Pages	PNP HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-400V •IC=-0.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-1APeakPulseCurrent •HighGainHoldsuphFE≥140@IC=-100mA •TotallyLead-Free&am	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DA1971_15	文件：284.23 Kbytes Page：7 Pages	400V PNP HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR IN SOT89	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DA1971-13	文件：284.23 Kbytes Page：7 Pages	400V PNP HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR IN SOT89	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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2DA1971-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 400V 0.5A SOT89-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
2DA1971-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 400V 0.5A SOT89-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
2DA1971Q-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 400V 0.5A SOT89-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

详细参数

型号：
2DA1971
功能描述：
两极晶体管 - BJT 400V PNP High Volt 1.5W -400VCEO -1ICM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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