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BSC252N10NSFG	文件：419.52 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor Features •Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications •Optimizedfordc-dcconversion •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Lowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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BSC252N10NSFG

文件：419.52 Kbytes

Page：10 Pages

OptiMOS??Power-Transistor

Features •Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications •Optimizedfordc-dcconversion •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Lowon-resistanceRDS(on) •150°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qu

InfineonInfineon Technologies AG

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更多252N10NSF供应商更新时间2025-5-22 15:11:00

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