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24N60C3	文件：230.42 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
ISPP24N60C3	文件：338.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.16Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice per	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
ISPW24N60C3	文件：335.55 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤160mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
SPP24N60C3	文件：338.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.16Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice per	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
SPP24N60C3	文件：250.81 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qualifiedaccordin	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SPP24N60C3	文件：351.05 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SPW24N60C3	文件：813.11 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SPW24N60C3	文件：230.42 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SPW24N60C3	文件：335.55 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤160mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

型号：
24N60C3
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
CoolMOS Power Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	24N60C3	Infineon(英飞凌)	23+	标准封装	12048	原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	24N60C3	INF	22+	TO-3P	163000	一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理	询价
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深圳市恒创达实业有限公司	24N60C3	INF进口原	17+	220-247	6200		询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	24N60C3	INFINEON	23+	TO-3P	6000	原装正品,假一罚十	询价
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