| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-251/TO-252 |
8000 |
2024+ |
国产品牌isc,质量等同原装 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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SAN-UTCTO-251 |
20000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SANYO/三洋TO252 |
7906200 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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SANYOSOT252 |
8430 |
06+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
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SANYO/三洋TO-252 |
7800 |
22+ |
原装现货价格从优! |
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深圳市益百分电子有限公司10年
留言
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SANYOSOT252 |
1335 |
99+ |
全新原装进口自己库存优势 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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SANYOSOT252 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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SAYTO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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ISC(无锡固电)TO251 |
6000 |
23+ |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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SANYOTO-252 |
5000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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SANYOTO-251 |
4000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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SANYOTO-252 |
20000 |
22+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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SANYO/三洋NA/ |
6250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SANYO/Sanyo/三洋/三洋电机株式SOT-252 |
8044 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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三洋TO-252 |
6000 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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SAN原厂封装 |
3500 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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SANYOSOT-252 |
8044 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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SANYOSOT252 |
25689 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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SANYO/三洋TO-252 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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SANYO原厂原装 |
1305 |
360000 |
2SB1204采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
2SB1204图片
2SB1204S-TL-E价格
2SB1204S-TL-E价格：￥1.8555品牌：ON
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2SB1204中文资料Alldatasheet PDF
更多2SB1204S-E功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204S-TL-E功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204T-E功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204T-TL-E功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
130MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
2SB935A,
- 最大耗散功率：
20W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-80
- vtest：
60
- htest：
130000000
- atest：
8
- wtest：
20
