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1SV245	文件：44.77 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode Features •HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=5.7(Typ.) •LowSeriesResistance:rs=1.2(Typ.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError.	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI
1SV245	文件：118.22 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODE(UHFSHFTUNING) UHFSHFTuning •Highcapacitanceratio:C2V/C25V=5.7(typ.) •Lowseriesresistance:rs=1.2Ω(typ.) •ExcellentC-Vcharacteristics,andsmalltrackingerror.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
1SV245	文件：33.85 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode Features •HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=5.7(Typ.) •LowSeriesResistance:rs=1.2(Typ.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1SX250LN2F43I2VG	文件：0 bytes Page：0 Pages	INTEL(英特尔)	INTEL(英特尔) 相关企业：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)
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更多1SV245(TH2,F,T)供应商更新时间2025-7-30 15:13:00