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1SV229	文件：469.36 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXALPLANARTYPE	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
1SV229	文件：43.19 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode Features ●Ultralowseriesresistance:rs=0.2(typ.) ●Usefulforsmallsizeset	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI
1SV229	文件：32.25 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode Features ●Ultralowseriesresistance:rs=0.2(typ.) ●Usefulforsmallsizeset	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1SV229	文件：131.81 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBAVariableCapacitanceDiodeSiliconEpitaxialPlanarType VCOforUHFBandRadio •Ultralowseriesresistance:rs=0.2Ω(typ.) •Usefulforsmallsizeset	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
1SV229(TPH3,F)
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Diode VAR Cap Single 15V 14pF 2-Pin USC T/R
制造商：
Toshiba
功能描述：
Diode VAR Cap Single 15V 14pF 2-Pin USC T/R Cut Tape
功能描述：
DIODE VARACTOR 15V USC
功能描述：
DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1SV229(TPH3,F)供应商更新时间2025-6-28 15:01:00

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