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1N6376G	文件：79.77 Kbytes Page：8 Pages	1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
1N6376G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：DO-201AD，轴向类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 12VWM 21.2VC AXIAL	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
1N6376	文件：60.1 Kbytes Page：8 Pages	1500WattPeakPowerMosorbZenerTransientVoltageSuppressors Mosorbdevicesaredesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighvoltage,high−energytransients.Theyhaveexcellentclampingcapability,highsurgecapability,lowzenerimpedanceandfastresponsetime.ThesedevicesareONSemiconductor’sexclusive,cost-effective,highlyreliable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
1N6376	文件：50.88 Kbytes Page：6 Pages	ZenerTransientVoltageSuppressorsUnidirectionalandBidirectional Mosorbdevicesaredesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighvoltage,highenergytransients.Theyhaveexcellentclampingcapability,highsurgecapability,lowzenerimpedanceandfastresponsetime.ThesedevicesareMotorola’sexclusive,cost-effective,highlyreliableSurmeti	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
1N6376	文件：98.43 Kbytes Page：5 Pages	TRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •1500Wpeakpulsepowercapabilitywitha 10/1000µswaveform,repetitiverate(duty cycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistanc	VishayVishay Siliconix 威世科技
1N6376	文件：42 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR STANDOFFVOLTAGE-5.0to45.0V1500WattPeakPower FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninMoldedPlasticpackage •1500Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerinpedance	MDEMDE semiconductor MDE半导体公司
1N6376	文件：279.95 Kbytes Page：2 Pages	1500WATTLOWCLAMPINGFACTOFTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSO STANDOFFVOLTAGE-5.0to45.0V 1500WattPeakPower FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninMoldedPlasticpackage •1500Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerinpedance •Fas	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N6376	文件：80.09 Kbytes Page：5 Pages	TRANSZORBTransientVoltageSuppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •1500Wpeakpulsepowercapabilitywitha 10/1000μswaveform,repetitiverate(duty cycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistanc	VishayVishay Siliconix 威世科技
1N6376	文件：139.08 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSTANDOFFVOLTAGE-5.0to45.0V1500WattPeakPower [Vishay] FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •1500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresista	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
1N6376	文件：55.23 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSTANDOFFVOLTAGE-5.0to45.0V1500WattPeakPower STANDOFFVOLTAGE-5.0to45.0V1500WattPeakPower FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninMoldedPlasticpackage •1500Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerinpedance	MDEMDE semiconductor MDE半导体公司
1N6376	文件：108 Kbytes Page：2 Pages	TRANSZORBTransientVoltageSuppressors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N6376	文件：89.87 Kbytes Page：5 Pages	TRANSZORBTransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技
1N6376	文件：102.38 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSTANDOFFVOLTAGE-5.0to45.0V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N6376	文件：303.12 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
1N6376	文件：89.87 Kbytes Page：5 Pages	TRANSZORBTransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技
1N6376	文件：325.16 Kbytes Page：3 Pages	1500WATTLOWCLAMPINGFACTORTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	DIGITRON Digitron Semiconductors
1N6376	文件：55.23 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	MDEMDE semiconductor MDE半导体公司
1N6376	文件：46.05 Kbytes Page：4 Pages	TRANSZORB??TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	GE GE Industrial Company
1N6376	文件：89.87 Kbytes Page：5 Pages	TRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •1500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •Sol	VishayVishay Siliconix 威世科技
1N6376	文件：158.3 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR STANDOFFVOLTAGE-5.0to45.0V 1500WattPeakPower FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninMoldedPlasticpackage •1500Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerinpedance •Fas	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

产品属性

产品编号：
1N6376G
制造商：
Littelfuse Inc.
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Mosorb™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
12V
电压 - 击穿（最小值）：
14.1V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
21.2V
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
轴向
描述：
TVS DIODE 12VWM 21.2VC AXIAL

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