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1N5819WSL	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管	CBI 创基电子	CBI
1N5819WT	文件：1.91081 Mbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Features » Multilayer Metal -Silicon Potential Structure » High Current Capability, High Efficiency «High Junction Temperature Capability « Low Leakage Current « RoHs Product 文件：1.91081 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
1N5819WV	文件：287.13 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：287.13 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
H1N5819	文件：38.48 Kbytes Page：3 Pages	1.0AMP.SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS Features • Low Forward Voltage Drop • High Current Capability • High Reliability • High Surge Current Capability 文件：38.48 Kbytes 页数：3 Pages	HSMC 华昕	HSMC

技术参数

VRRM(V)：
40
IFSM(A)：
0.8
VFIF(mA)：
800
IRVR(V)：
40
ctot(PF)：
120
PackageOutline：
SOD-323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏和科技有限公司	1N5819WSL	ST大芯片	24+	SOD-123LL34	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	1N5819WSL	Bychip/百域芯	21+	SOD-123	30000	实单必成质强价优可开13点增值税	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	1N5819WSL	CJ/长电	24+	NA/	6250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	1N5819WSL	CJ/长电	24+	SOD-123	60000		询价
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更多1N5819WSL供应商更新时间2025-11-1 10:20:00

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