1N5711分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
1N5711 |
| 参数属性 | 1N5711 封装/外壳为DO-204AH，DO-35，轴向；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：RF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW |
| 功能描述 | Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications |
| 封装外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 文件大小 |
124.62 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名称 | 新泽西半导体 新泽西半导体公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-14 18:19:00 |
| 人工找货 | 1N5711价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
1N5711规格书详情
Description/Applications
The 1N5711, 1N5712, 5082-2800/10/11 are passivated Schottky barrier diodes which use a patented “guard ring” design to achieve a high breakdown voltage. Packaged in a low cost glass package, they are well suited for high level detecting, mixing, switching, gating, log or A-D converting, video detecting, frequency discriminating, sampling, and wave shaping.
特性 Features
• Low Turn-On Voltage
As Low as 0.34 V at 1 mA
• Pico Second Switching Speed
• High Breakdown Voltage
Up to 70 V
• Matched Characteristics Available
产品属性
- 产品编号：
1N5711
- 制造商：
Broadcom Limited
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
肖特基 - 单
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
70V
- 不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
- 描述：
RF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP/微芯 |
25+ |
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