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1N5711分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

1N5711

参数属性

1N5711 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW

功能描述

Small-Signal Diode Schottky Diodes

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

文件大小

126.35 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

Good-Ark

中文名称

固锝电子

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更新时间

2025-11-14 12:00:00

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1N5711规格书详情

特性 Features

◆ For general purpose applications

◆ Metal-on-silicon Schottky barrier device which is protected by a

PN junction guard ring. The low forward voltage drop and fast

switching make it ideal for protection of MOS devices, steering,

biasing and coupling diodes for fast switching and low logic

level applications.

◆ This diode is also available in the MiniMELF case with type

designation LL5711 and LL6263.

产品属性

  • 产品编号:

    1N5711

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基 - 单

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    70V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
2511
DO-35
9550
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ST
2021+
DO-35
3000
只做原装,可提供样品
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Broadcom Limited
24+
DO-204AH,DO-35,轴向
6000
只做原装,欢迎询价,量大价优
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ST/意法半导体
21+
DO-35
10000
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ST/意法半导体
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