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1N5660AE3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-13 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 111VWM 179VC DO13	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5660AE3/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-13 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 111VWM 179VC DO13	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

产品属性

产品编号：
1N5660AE3
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
111V
电压 - 击穿（最小值）：
124V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
179V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
8.4A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-13
供应商器件封装：
DO-13（DO-202AA）
描述：
TVS DIODE 111VWM 179VC DO13

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