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1N5392	文件：121.93 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIER VOLTAGE-50to1000VoltsCURRENT-1.5Amperes FEATURES •Lowcost •Highcurrentcapability •Highreliability •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound •1.5ampereoperation	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5392	文件：22.81 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
1N5392	文件：45.53 Kbytes Page：3 Pages	1.5ASILICONRECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5392G	文件：177.37 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIER FEATURES •TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Highcurrentcapability •Lowreverseleakage •Glasspassivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Hightemperaturesolderingguaranteed:350°C/10seconds,0.375(9.5mm)leadlength,5lbs.(2.3k	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N5392G	文件：59.74 Kbytes Page：2 Pages	1.5AGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto50APeak •LowReverseLeakageCurrent •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5392G	文件：16.32 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONRECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:1.5Amperes FEATURES: Glasspassivatedchip Highcurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent *Lowforwardvoltagedrop	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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