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1N5386BE	文件：637.36 Kbytes Page：6 Pages	5 Watt Zener Diode 11 to 200 Volts Features ●BuiltStrainRelief ●CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0 ●ForAvailableTolerances—SeeNote1 ●Marking:1N5348~1N5388partnumberandCathodeBand	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1N5386BE3/TR12	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：T-18，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 180V 5W T18	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5386BE3/TR13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：T-18，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 180V 5W T18	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5386BE3/TR8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：T-18，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 180V 5W T18	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5386	文件：306.32 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11to200VoltsPower-5.0Watts) FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5386	文件：87.54 Kbytes Page：6 Pages	5WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WattSurmetic40SiliconZenerDiodes	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
1N5386	文件：267.56 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-5.0Watts FEATURES Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance TypicalIDlessthan1Aabove13V Hightemperaturesoldering:260/10secondsatterminals PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammability	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5386	文件：428.22 Kbytes Page：5 Pages	5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes 5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes •••acompleteseriesof5WattZenerDiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon-oxide-passivatedjunctions.Allthisisinanaxial-lead,transfer-moldedplasticpackagethatoffersprote	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
1N5386	文件：63.53 Kbytes Page：3 Pages	5WZENERDIODE Features •VoltageRange8.2V-200V •GlassPassivatedJunction •5WSteadyState •HighSurgeCapability •±5VoltageToleranceonNominalVZisStandard •100Tested	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
1N5386	文件：31.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5386	文件：114.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICON5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5333-5388BJEDECregisteredseriesofaxial-leaded5.0wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbyspecificsuffixletteronthepartnumber.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificatio	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5386	文件：93.38 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) •Maximumpowerdissipation5W •NominalZ-voltage8.7…200V •Plasticcase~DO-201 •Weightapprox.1g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopackseepage1	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N5386	文件：281.2 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES •Lowleakage,lowzenerimpedanceatlowcurrent •Maximumpowerdissipationof5Wisideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsatterminals •Standardzenervoltagetoleranceavailableis±20.Suffix“A” in	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5386	文件：108.81 Kbytes Page：2 Pages	5.0Wattsurmetic40siliconzcncrdiodes 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5386A	文件：121.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5386A	文件：103.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC	EIC
1N5386A	文件：204.32 Kbytes Page：1 Pages	5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5386A	文件：31.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5386B	文件：63.53 Kbytes Page：3 Pages	5WZENERDIODE Features •VoltageRange8.2V-200V •GlassPassivatedJunction •5WSteadyState •HighSurgeCapability •±5VoltageToleranceonNominalVZisStandard •100Tested	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
1N5386B	文件：208.94 Kbytes Page：5 Pages	5WSILICONZENERDIODES description 5WsiliconZenerdiodes. ■VOLTAGERANGE:3.3VTO200V ■HERMETICALLYSEALEDPLASTICCASE ■HIGHSURGECAPABILITY(upto180W@8.3ms)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
1N5386BE
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
5.0W, VZ = 180V, ? 5% - Tape and Reel
功能描述：
DIODE ZENER 5.0W 180V 5% T-18

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市艾宇欣科技有限公司	1N5386BE3/TR13	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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更多1N5386BE供应商更新时间2024-6-22 10:18:00

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