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1N5062TAP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：SOD-57，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N5062	文件：204.16 Kbytes Page：4 Pages	PassivatedRectifier PassivatedRectifier TRANSIENTVOLTAGEPROTECTED 2.5Amps200-1000Volts	POWEREX POWEREX
1N5062	文件：43.43 Kbytes Page：4 Pages	SiliconMesaRectifiers Features ●Controlledavalanchecharacteristics ●Glasspassivated ●Lowreversecurrent ●Highsurgecurrentloading ●Hermeticallysealedaxial–leadedglassenvelope	VishayVishay Siliconix 威世科技
1N5062	文件：52.73 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONRECTIFIER ReverseVoltage-200to800VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ♦1.0AmpereoperationatTA=75°Cwithnothermalrunaway ♦TypicalIRlessthan0.1µA ♦Hermeticallysealedpackage ♦Glasspassivatedcavity-freejunction ♦Cap	GE GE Industrial Company
1N5062	文件：182.79 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifiers SiliconRectifiers •Nominalcurrent2A •Repetitivepeakreversevoltage200…800V •PlasticcaseDO-15 •Weightapprox.0.4g •PlasticmaterialhasULclassification	DiotecDIOTEC 德欧泰克
1N5062	文件：129.43 Kbytes Page：2 Pages	Standardsiliconrectifierdiodes ForwardCurrent:2A ReverseVoltage:200to800V Features ●Max.soldertemperature:260°C ●PlasticmaterialhasULclassification94V-0	SemikronSemikron 赛米控
1N5062	文件：133.21 Kbytes Page：2 Pages	Standardsiliconrectifierdiodes	SemikronSemikron 赛米控
1N5062	文件：160.49 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIER VOLTAGERANGE:200---800V CURRENT:2.0A FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Glasspassivatedchips ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcrrentcapability ◇EasilycleanedwithFreon,Alcohol,lsopropandandsimilarsolvents	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1N5062	文件：95.23 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifierDiodes??Silizium-Gleichrichterdioden	DiotecDIOTEC 德欧泰克
1N5062	文件：65.34 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDRECTIFIER1.0AMP,200THRU800VOLTS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N5059seriestypesaresiliconrectifiersmanufacturedinahermeticallysealedglasspassivatedpackagedesignedforgeneralpurposeapplicationswherehighreliabilityisdesired.HighervoltagedevicesareavailableintheCPR1-010series.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
1N5062	文件：116.34 Kbytes Page：4 Pages	StandardAvalancheSinterglassDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技
1N5062	文件：73.44 Kbytes Page：2 Pages	SINTEREDGLASSJUNCTIONAVALANCHERECTIFIERVOLTAGE竊?00Vto800VCURRENT:2.0A VOLTAGE：600Vto800VCURRENT:2.0A FEATURE Glasspassivated Highmaximumoperatingtemperature Lowleakagecurrent Excellentstability Guaranteedavalancheenergyabsorptioncapability	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司
1N5062	文件：564.116 Kbytes Page：2 Pages	2A800VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行
1N5062	文件：564.116 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行
1N5062	文件：219.31 Kbytes Page：2 Pages	PlasticSiliconRectifier VOLTAGERANGE:200---800V CURRENT:2.0A Features ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Glasspassivatedchips ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcrrentcapability ◇EasilycleanedwithFreon,Alcohol,lsopropandandsimilarsolvents	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
1N5062	文件：96.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifierDiodes??Silizium-Gleichrichterdioden	DiotecDIOTEC 德欧泰克
1N5062	文件：74.5 Kbytes Page：7 Pages	Controlledavalancherectifiers DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction.Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. FEATURES •Glasspassivated •Highmaximumoperatingtemperature •Lowleakagecurrent •Excellent	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
1N5062	文件：130.039 Kbytes Page：5 Pages	StandardAvalancheSinterglassDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技
1N5062	文件：136.41 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryRectifierDiodes	DiotecDIOTEC 德欧泰克
1N5062	文件：363.85 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE:200---800VCURRENT:2.0A FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Glasspassivatedchips ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcrrentcapability ◇EasilycleanedwithFreon,Alcohol,lsopropand andsimilarsolvents	DSK Diode Semiconductor Korea

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产品属性

产品编号：
1N5062TAP
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
雪崩
电流 - 平均整流 (Io)：
2A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
40pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
SOD-57，轴向
供应商器件封装：
SOD-57
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

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更多1N5062TAP供应商更新时间2024-4-28 15:00:00

产品属性

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