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1N4685	文件：116.68 Kbytes Page：2 Pages	50 uA, LOW OPERATING CURRENT, ZENER DIODES •50µA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •METALLURGICALLYBONDED MAXIMUMRATINGS OperatingTemperature:-65°Cto+175°C StorageTemperature:-65°Cto+175°C PowerDissipation:500mW@+50°C DCPowerDerating:4mW/°Cabove+50°C ForwardV	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
1N4685	文件：40.04 Kbytes Page：2 Pages	ZENER DIODES FEATURES ♦SiliconPlanarZenerDiodes ♦StandardZenervoltagetoleranceis±5.Othertolerancesareavailableuponrequest. ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength. ♦ThesediodesarealsoavailableinSOD-123casewiththetypedesignation	GE GE Industrial Company	GE
1N4685	文件：36.88 Kbytes Page：1 Pages	LOW LEVEL ZENER DIODES ULTRA-LOW CURRENT: 50 關A - LOW LEAKAGE LOWLEVELZENERDIODES ULTRA-LOWCURRENT:50µA-LOWLEAKAGE	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
1N4685	文件：48.39 Kbytes Page：1 Pages	SILICON 250 mW ZENER DIODES DESCRIPTION The1N4678thru1N4717seriesof0.5wattZenerVoltageRegulatorsprovidesaselectionfrom1.8to43voltsinstandard5tolerancesaswellastightertolerancesidentifiedbydifferentsuffixlettersonthepartnumber.Theseglassaxial-leadedDO-7Zenersalsohaveaninternal-m	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N4685	文件：127.38 Kbytes Page：3 Pages	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators SpecificationFeatures: ■ZenerVoltageRange=1.8Vto43V ■ESDRatingofClass3(>6KV)perHumanBodyModel ■DO-35Package(DO-204AH) ■DoubleSlugTypeConstruction ■MetallurgicalBondedConstruction ■RoHSCompliant ■SolderHotDipTin(Sn)LeadFinish SpecificationFeatures:	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
1N4685	文件：145.54 Kbytes Page：1 Pages	50 uA, LOW OPERATING CURRENT, ZENER DIODE 1N4678thru1N4717 ●50μA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODE ●DOUBLEPLUGCONSTRUCTION ●METALLURGICALLYBONDED	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N4685	文件：115.92 Kbytes Page：3 Pages	ZENER DIODES VZ:1.8-43V PD:500mW FEATURES: Zenervoltagespecifiedat50µA MaximumdeltaVZgivenfrom10µAto100µA Veryhighstability Lownoise *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N4685	文件：281.15 Kbytes Page：5 Pages	500mW Silicon Zener Diodes Features •ZenerVoltage1.8Vto43V •VerySharpReverseCharacteristic •VZ–tolerance±5standard •HighReliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N4685	文件：67.52 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes Features Zenervoltagespecifiedat50A MaximumdeltaVZgivenfrom10Ato100A Veryhighstability Lownoise Applications Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4685	文件：245.54 Kbytes Page：4 Pages	ZENER DIODES ZenerDiodes Features •500mWPowerDissipation •HighStability •ZenerVoltagefrom3.3Vto39V •Hightemperaturesolderingguaranteed265°C/10seconds /.037(9.5mm)leadlength, •RoHScompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON

产品属性

产品编号：
1N4685
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35（DO-204AH）
描述：
ZENER DIODE

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