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1N4448TR	文件：156.75 Kbytes Page：7 Pages	Small Signal Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
1N4448TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N4448TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
1N4448TR_S00Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
1N4448	文件：57.87 Kbytes Page：8 Pages	High-speeddiodes DESCRIPTION The1N4148,1N4446,1N4448arehigh-speedswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD27(DO-35)packages. FEATURES •Hermeticallysealedleadedglass SOD27(DO-35)package •Highswitchingspeed:max.4ns •Genera	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
1N4448	文件：44.05 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Electricallyequivalentdiodes:1N4148-1N914 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Extremefastswitches	VishayVishay Siliconix 威世科技
1N4448	文件：57.61 Kbytes Page：2 Pages	Switchingdiode Features 1)Glasssealedenvelope.(MSD,GSD) 2)Highspeed. 3)Highreliability. Application High-speedswitching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
1N4448	文件：233.26 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE? Features SiliconEpitaxialPlanarDiodefastswitchingdiode. ThisdiodeisalsoavailableinMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4448.	SEMTECH Semtech Corporation
1N4448	文件：78.81 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiode SmallSignalDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
1N4448	文件：11.68 Kbytes Page：1 Pages	SIGNALDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司
1N4448	文件：190.69 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Fastswithchingdiodes •500mWpowerdissipation •ThediodeisalsoavailableintheMini-MELFcasewiththetypedesignationLL4448	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司
1N4448	文件：57.91 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGDIODE Features •FastSwitchingSpeed •GeneralPurposeRectification •SiliconEpitaxialPlanarConstruction •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
1N4448	文件：144.58 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiodes FEATURES ◆SiliconEpitaxialPlanarDiode ◆Fastswitchingdiode. ◆Thisdiodeisalsoavailableinothercasestylesincluding:theSOD-123casewiththetypedesignation1N4448W,theMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4448,andtheSOT23casewiththetypedesignationIMBD4448.	GE GE Industrial Company
1N4448	文件：235.78 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE Features SiliconEpitaxialPlanarDiodefastswitchingdiode. ThisdiodeisalsoavailableinMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4448.	Good-Ark Good-Ark
1N4448	文件：32.87 Kbytes Page：1 Pages	COMPUTERDIODESwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N4448	文件：36.83 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingDiode HighSpeed Features -FastSwitchingSpeed -GeneralPurposeRectification -SiliconEpitaxialPlanarConstruction	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
1N4448	文件：147.61 Kbytes Page：3 Pages	COMPUTERDIODESwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N4448	文件：171.91 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarDiodes UltrafastRecoveryRectifierDiodes Features Veryhighswitchingspeed Lowjunctioncapacitance Lowleakagecurrent ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing, High-speedswitching Commercialgrade1) MechanicalDa	DiotecDIOTEC 德欧泰克
1N4448	文件：45.9 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes	TemicTEMIC 杰驰电子
1N4448	文件：38.69 Kbytes Page：3 Pages	Switchingdiode Features 1)Glasssealedenvelope.(MSD,GSD) 2)Highspeed. 3)Highreliability. Application High-speedswitching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团

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产品属性

产品编号：
1N4448TR
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
150mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35（DO-204AH）
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	1N4448TR	ON(安森美)	23+	标准封装	7188	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	1N4448TR	Fairchild Semiconductor	23+	SOIC-24	6000	15年原装正品企业	询价
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更多1N4448TR供应商更新时间2024-4-26 16:22:00

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