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1N4448,113	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
1N4448	文件：57.87 Kbytes Page：8 Pages	High-speeddiodes DESCRIPTION The1N4148,1N4446,1N4448arehigh-speedswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD27(DO-35)packages. FEATURES •Hermeticallysealedleadedglass SOD27(DO-35)package •Highswitchingspeed:max.4ns •Genera	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
1N4448	文件：44.05 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Electricallyequivalentdiodes:1N4148-1N914 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Extremefastswitches	VishayVishay Siliconix 威世科技
1N4448	文件：11.68 Kbytes Page：1 Pages	SIGNALDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司
1N4448	文件：57.61 Kbytes Page：2 Pages	Switchingdiode Features 1)Glasssealedenvelope.(MSD,GSD) 2)Highspeed. 3)Highreliability. Application High-speedswitching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
1N4448	文件：233.26 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE? Features SiliconEpitaxialPlanarDiodefastswitchingdiode. ThisdiodeisalsoavailableinMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4448.	SEMTECH Semtech Corporation
1N4448	文件：78.81 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiode SmallSignalDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
1N4448	文件：190.69 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Fastswithchingdiodes •500mWpowerdissipation •ThediodeisalsoavailableintheMini-MELFcasewiththetypedesignationLL4448	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司
1N4448	文件：57.91 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGDIODE Features •FastSwitchingSpeed •GeneralPurposeRectification •SiliconEpitaxialPlanarConstruction •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
1N4448	文件：180.37 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFHIGHSPEEDSWITCHINGDIODES VOLTAGERANGE-50to100VoltsCURRENT-0.075to0.2Ampere FEATURES Siliconepitaxialplanardiodes Lowleakage Lowforwardvoltage Highspeedswitching Highcurrentcapability Highreliability *Lowpowerloss,highefficiency	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
1N4448	文件：144.58 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiodes FEATURES ◆SiliconEpitaxialPlanarDiode ◆Fastswitchingdiode. ◆Thisdiodeisalsoavailableinothercasestylesincluding:theSOD-123casewiththetypedesignation1N4448W,theMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4448,andtheSOT23casewiththetypedesignationIMBD4448.	GE GE Industrial Company
1N4448	文件：235.78 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE Features SiliconEpitaxialPlanarDiodefastswitchingdiode. ThisdiodeisalsoavailableinMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4448.	Good-Ark Good-Ark
1N4448	文件：32.87 Kbytes Page：1 Pages	COMPUTERDIODESwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N4448	文件：36.83 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingDiode HighSpeed Features -FastSwitchingSpeed -GeneralPurposeRectification -SiliconEpitaxialPlanarConstruction	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
1N4448	文件：147.61 Kbytes Page：3 Pages	COMPUTERDIODESwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N4448	文件：171.91 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarDiodes UltrafastRecoveryRectifierDiodes Features Veryhighswitchingspeed Lowjunctioncapacitance Lowleakagecurrent ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing, High-speedswitching Commercialgrade1) MechanicalDa	DiotecDIOTEC 德欧泰克
1N4448	文件：45.9 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes	TemicTEMIC 杰驰电子
1N4448	文件：38.69 Kbytes Page：3 Pages	Switchingdiode Features 1)Glasssealedenvelope.(MSD,GSD) 2)Highspeed. 3)Highreliability. Application High-speedswitching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
1N4448	文件：336.14 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurposeDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
1N4448	文件：685.72 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes SurfaceMountSwitchingDiodes Features: SiliconEpitaxialPlannerDiode FastSwitchingDiodes *500mWPowerDissipation	WEITRONWEITRON 威堂電子科技

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产品属性

产品编号：
1N4448,113
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
ALF2
工作温度 - 结：
200°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宇创芯科技有限公司	1N4448,113	NXP/恩智浦	22+	SMD	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
深圳市易讯博科技有限公司	1N4448,113	NXP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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