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1N4150TAP	文件：76.39 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiodes FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Lowforwardvoltagedrop •AEC-Q101qualified •Highforwardcurrentcapability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Highspeedswitchandgeneralpurposeuseincomputerandi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4150-TAP	文件：113.63 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4150-TR	文件：113.63 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4150W	文件：78.78 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiode FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Forgeneralpurposeandswitching •AEC-Q101qualifiedavailable •BaseP/N-E3-RoHS-compliant,commercialgrade •BaseP/N-HE3-RoHS-compliant,AEC-Q101qualified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4150W	文件：678.35 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE Features ●HighConductance ●FastSwitchingSpeed ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ForGeneralPurposeSwitchingApplication	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
1N4150W	文件：261.725 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N4150W	文件：258.134 Kbytes Page：1 Pages	50VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N4150W	文件：53.45 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES FEATURES •FastswitchingSpeed •ElectricallyIdenticaltoStandardJEDEC •HighConductance •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion •FlatpackageSOD-123insteadmini-MELFpackage.	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4150W	文件：29.62 Kbytes Page：1 Pages	SMALLSIGNALDIODES Features ●SiliconEpitaxialPlanarDiode ●Fastgeneralpurposeandswitching. ●Thisdiodsisalsoavailableinothercasestylesincluding:theDO-35casewiththetypedesignation1N4150andtheMini-MELFcasewiththetypedisignationLL4150.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N4150W	文件：79.26 Kbytes Page：1 Pages	SMALLSIGNALDIODES FEATURES ♦SiliconEpitaxialPlanarDiode ♦Forgeneralpurposeandswitching. ♦ThisdiodeisalsoavailableinothercasestylesincludingtheDO-35casewiththetypedesignation1N4150andtheMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4150.	GE GE Industrial Company	GE

详细参数

型号：
1N4150_Q
功能描述：
整流器 High Conductance Ultra Fast
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
产品：
Standard Recovery Rectifiers
反向电压：
100 V
恢复时间：
1.2 us
正向连续电流：
2 A
最大浪涌电流：
35 A 反向电流
IR：
5 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-221AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N4150_Q供应商更新时间2025-5-15 10:44:00

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