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1N4108	文件：433.58 Kbytes Page：3 Pages	Consolidated shipping options DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N4099seriessiliconZenerdiodeisdesignedforlowleakage,lowcurrent,andlownoiseapplications. MAXIMUMRATINGS:(TA=25°C)SYMBOLUNITS PowerDissipationPD250mW	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N4108	文件：1.19442 Mbytes Page：3 Pages	SILICON 500mW MAXIMUMRATINGS JunctionandStorageTemperatures:-65°Cto+200°C DCPowerDissipation:500mW PowerDerating:4.0mW/°Cabove50°CinDO-35 ForwardVoltage@200mA:1.1Volts1N4099-1N4135 @100mA:1.0Volts1N4614-1N4627	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N4108	文件：98.4 Kbytes Page：2 Pages	LOW CURRENT OPERATION AT 250 uA •1N4099-1THRU1N4135-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •LOWREVERSELEAKAGEANDLOWNOISECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
1N4108	文件：37.88 Kbytes Page：1 Pages	LOW LEVEL ZENER DIODES LOW CURRENT: 250關A - LOW NOISE 1.PackageStyleDO-7 2.Vztolerance:±5 3.ForwardVoltage(VF)Maximum1.0Vdc (1N4614–1N4627IF=100mA;1N4099–1N4121IF=200mA) 4.NoiseDensitymeasuredfrom1000to3000Hz. 5.MILITARYSCREENINGAVAILABLE	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
1N4108	文件：109.42 Kbytes Page：2 Pages	SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES •1N4099UR-1THRU1N4135UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED MAXIMUMRATINGS JunctionandStorageTemperature:-65°Cto+175°C DCPowerDissipation:50	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N4108	文件：86.51 Kbytes Page：2 Pages	SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES •1N4099UR-1THRU1N4135UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED MAXIMUMRATINGS JunctionandStorageTemperature:-65°Cto+175°C DCPowerDissipation:50	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N4108	文件：181.54 Kbytes Page：2 Pages	500mW LOW NOISE SILION ZENER DIODES VOLTAGERANGE1.8to100Volts FEATURES Zenervoltage1.8to100V Lownoise *Lowreverseleakage	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N4108	文件：357.68 Kbytes Page：5 Pages	500mW Low Noise Zener Diodes Features •LowCurrentOperationat250µA •LowReverseLeakage •LowNoiseCharacteristics •MetallurgicallyBonded •Hightemperaturesolderingguaranteed:260˚C/10seconds •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
1N4108	文件：212.41 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR LOW NOISE ZENER DIODES FEATURES •Lownoise •Lowreverseleakage	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N4108	文件：265.53 Kbytes Page：5 Pages	500mW Silicon Zener Diodes Features •ZenerVoltageRange=1.8Vto47V •DoubleSlugTypeConstruction •MetallurgicalBondedConstruction •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation) •MoistureSensitivity:Level1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

产品属性

产品编号：
1N4108
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
散装
容差：
±5%
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-213AA
供应商器件封装：
DO-213AA
描述：
ZENER DIODE

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