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1N4001S	文件：666.73 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N4001S	文件：233.67 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ◆TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique ◆Lowreverseleakage ◆Highforwardsurgecurrentcapability ◆	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N4001S	文件：95.27 Kbytes Page：1 Pages	LEADED(THRU-HOLE)GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps LEADED(THRU-HOLE) GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
1N4001S	文件：53.74 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIER(VOLTAGE-50to1000VoltsCURRENT-1.0Ampere) VOLTAGE50to1000VoltsCURRENT1.0Amperes FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highreliability •Highsurgecurrentcapability •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4001S	文件：89.89 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-1.0Ampere FEATURES ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowreverseleakagecurrent ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
1N4001S	文件：2.37523 Mbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SiliconRectifiers FEATURES -Highefficiency,lowVF -Highcurrentcapability -Highreliability -Highsurgecurrentcapability -Lowpowerloss -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUand inaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
1N4001S	文件：519.429 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SiliconRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
1N4001S	文件：67.32 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4001S	文件：65.99 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Lowleakagecurrent Highreliability Highcurrentcapability	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
1N4001S	文件：60.62 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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产品属性

产品编号：
1N4001G-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
8pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N4001G-T供应商更新时间2025-7-19 16:30:00

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