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1N3012B	文件：103.17 Kbytes Page：2 Pages	Silicon 10 WATT Zener Diodes DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
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1N3012B	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10 WATT ZENER DIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N3012B	文件：103.17 Kbytes Page：2 Pages	SILICON 10 WATT ZENER DIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinking	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3012B	文件：135.76 Kbytes Page：2 Pages	10W ZENER DIODE 6.8 VOLTS TO 200 VOLTS 5 TOLERANCE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N3012B	文件：107.63 Kbytes Page：1 Pages	Zener Diodes	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N3012B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AA，DO-4，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 160V 10W DO213AA	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
1N3012BR	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10 WATT ZENER DIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
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1N3012	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N3012	文件：1.01995 Mbytes Page：2 Pages	10WZenerDiodes	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
1N3012	文件：291.24 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES ZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N3012	文件：1.03124 Mbytes Page：2 Pages	Glasspassivatedjunction Features ●Glasspassivatedjunction ●Goodclampingability ●AvailableinNormalandReversepolarity ●MetricandUNFthreadtype ElectricalData ●DCPowerDissipation:10Watts ●VoltageRange6.8–200Volts ●Operatingtemperature-65°Cto+175°C ●Derating:80mW/oCabove50°C ●	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC
1N3012A	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N3012A	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3012AR	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N3012C	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3012D	文件：215.72 Kbytes Page：4 Pages	10WATTZENERDIODES DESCRIPTION Thesehighpower10WZenerdiodesrepresentedbytheJEDECregistered1N2970thru1N3015Band1N3993thru1N4000Aseriesprovidevoltageregulationinaselectionovera3.9Vto200Vbroadrangeofvoltages.Theymaybeoperatedupto10Wwithadequatemountingandheatsinkingwith	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3012R	文件：115.19 Kbytes Page：1 Pages	10WATTZENERDIODES 10WATTZENERDIODES	NAINA Naina Semiconductor ltd.
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产品属性

产品编号：
1N3012B
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
散装
容差：
±5%
工作温度：
-65°C ~ 175°C
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-213AA
描述：
DIODE ZENER 160V 10W DO213AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N3012B供应商更新时间2024-4-26 16:16:00

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