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17N80C3	文件：257.62 Kbytes Page：11 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO 247 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated 文件：257.62 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
17N80C3	文件：335.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • High peak current capability • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤290mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：335.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
17N80C3	文件：683.83 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology Extreme dv/dt rated 文件：683.83 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
17N80C3	文件：736.98 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTM Power Transistor 文件：736.98 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA17N80C3	文件：333.85 Kbytes Page：13 Pages	丝印：17N80C3；Package：TO-220-3-31；Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO 220 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) • Pb 文件：333.85 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP17N80C3	文件：333.85 Kbytes Page：13 Pages	丝印：17N80C3；Package：TO-220；Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO 220 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) • Pb 文件：333.85 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA17N80C3	文件：983.06 Kbytes Page：13 Pages	丝印：17N80C3；Package：TO-220-3-31；Cool MOS??Power Transistor 文件：983.06 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP17N80C3	文件：1.41387 Mbytes Page：13 Pages	丝印：17N80C3；Package：TO-220；New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate charge 文件：1.41387 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP17N80C3	文件：401.12 Kbytes Page：10 Pages	丝印：17N80C3；Package：TO-220；CoolMOS Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology 文件：401.12 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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