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11N06	文件：114.92 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The PHP11N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package. The PHB11N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting pa 文件：114.92 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
11N06LT	文件：114.92 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The PHP11N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package. The PHB11N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting pa 文件：114.92 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
11N06LTA	文件：114.92 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The PHP11N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package. The PHB11N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting pa 文件：114.92 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHB11N06LT	文件：76.41 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The PHP11N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package. The PHB11N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting pa 文件：76.41 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHB11N06LT	文件：114.92 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The PHP11N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package. The PHB11N06LT is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting pa 文件：114.92 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHB11N06LT	文件：344.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.13Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：344.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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