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FS10A60CT	文件：298.28 Kbytes Page：2 Pages	10.0AmpereSurfaceMountDualCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
FSF10A60	文件：29.43 Kbytes Page：2 Pages	LowForwardVoltageDropDiode FEATURES FullyMoldedIsolationCase Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability 200Voltsthru600VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
FSF10A60B	文件：53.95 Kbytes Page：4 Pages	FRD-LowForwardVoltageDrop FEATURES FullyMoldedIsolationCase Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability 200Voltsthru600VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
FSU10A60	文件：54.88 Kbytes Page：5 Pages	FRD-LowForwardVoltageDrop FEATURES FullyMoldedIsolationCase Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency *HighSurgeCapability	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GCF10A60	文件：53.14 Kbytes Page：4 Pages	LowForwardVoltagedropDiode FEATURES SimilartoTO220ABCase DualDiodes–CathodeCommon Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop HighSurgeCapability 200Voltsthru600VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GSF10A60	文件：30.62 Kbytes Page：2 Pages	LowForwardVoltagedropDiode FEATURES SimilartoTO-220ABCase Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability 200Voltsthru600VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GSF10A60B	文件：52.46 Kbytes Page：4 Pages	FRD-LowForwardVoltageDrop FEATURES SimilartoTO-220ABCase Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability 200Voltsthru600VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GSIB10A60	文件：151.57 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERVoltage:50to1000VCurrent:10.0A	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
ITK10A60W	文件：289.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.38Ω •EasytocontrolGateswitching •Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performancean	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K10A60D	文件：164.35 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.58Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	10-A6537-3	Qualcomm	23+	BGA	1276	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	10-A6537-3	Qualcomm	23+	BGA	1276	专注配单,只做原装进口现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	10A6DA	NDK	23+	DIP-6P	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
浙江永芯科技有限公司	10A6G	YANGJIE	24+	R-6	50000	原厂直销全新原装正品现货欢迎选购	询价
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