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100B430JT500XT	文件：424.62 Kbytes Page：12 Pages	RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
100B430JT500XT1K	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：1111（2828 公制）类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 43PF 500V P90 1111	American Technical Ceramics American Technical Ceramics	American Technical Ceramics
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ATC100B430JT500XT	文件：948.24 Kbytes Page：19 Pages	RFPowerLDMOSTransistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
ATC100B430JT500XT	文件：1.10464 Mbytes Page：20 Pages	RFPowerLDMOSTransistorsEnhancement--ModeLateralMOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
ATC100B430JT500XT	文件：1.4439 Mbytes Page：19 Pages	RFPowerFieldEffectTransistorN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET 2--500MHz,600W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforwidebandapplicationswithfrequenciesupto500MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinbroadcastapplications. •TypicalDVB--TOFDMPerformance:VDD=50Volts,IDQ=2600mA,Pout=125Wa	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
ATC100B430JT500XT	文件：1.0447 Mbytes Page：19 Pages	RFPowerLDMOSTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
100B430JT500XT
功能描述：
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 500volts 430pF 5%
RoHS：
否
制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
电容：
10 pF
容差：
1 %
电压额定值：
250 V
温度系数/代码：
C0G(NP0) 外壳代码 -
in：
0505 外壳代码 -
mm：
1414
工作温度范围：
- 55 C to + 125 C
产品：
Low ESR MLCCs
封装：
Reel

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