选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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Fairchild SemiconductorSOIC-24 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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MSC |
10022 |
2007/2008 |
公司现货 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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Fairchild SemiconductorSOIC-24 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)DO-35 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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原厂 |
1000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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MICROSEMI-美高森美DO-35 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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MICROCHIP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市鼎盛源芯科技有限公司6年
留言
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ON原厂封装 |
10000 |
16+ |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
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FAIRCHILD |
16800 |
2023+ |
芯为科技只做原装 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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Fairchild15-DIP (0.400 10.16mm) 12 L |
33500 |
23+ |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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MicrosemiN/A |
908 |
1942+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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MICROSEMIDO-35 |
1675 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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MICROSEMIDO-35 |
1675 |
1809+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
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MOTOROLADO35 |
12500 |
18+ |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)DO-35 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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MICROCHIP-微芯DO-35-2 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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MCC-美微科DO-35 |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
1N5998B采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
1N5998B图片
1N5998BT&R价格
1N5998BT&R价格:¥0.0000品牌:All American
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1N5998B/TR中文资料Alldatasheet PDF
更多1N5998B功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5998B R0制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 8V2
1N5998B_T50A功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5998B_T50R功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5998BRL制造商:Motorola Inc 制造商:ON Semiconductor
1N5998B-TP制造商:Micro Commercial Components(MCC) 功能描述:Diode Zener Single 8.2V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R
1N5998BTR制造商:Microsemi Corporation
产品属性
- 产品编号:
1N5998B
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 容差:
±5%
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商器件封装:
DO-35
- 描述:
DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35