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MSRT25060	文件：434.21 Kbytes Page：2 Pages	THREETOWERMODULESSTANDARDRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MSRT25060A	文件：434.21 Kbytes Page：2 Pages	THREETOWERMODULESSTANDARDRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
XF25060B	文件：70.12 Kbytes Page：1 Pages	INDUCTORS	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
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ZXTN25060BFH	文件：392.17 Kbytes Page：6 Pages	60V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Features •Highpowerdissip	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTN25060BFH	文件：399.37 Kbytes Page：6 Pages	60V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Features •BVCEO>60V •BVCEX>150V •BVECO>6V •IC=3.5AhighContinuousCollectorCurrent •VCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXTN25060BFHTA	文件：392.17 Kbytes Page：6 Pages	60V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Features •Highpowerdissip	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTN25060BFHTA	文件：399.37 Kbytes Page：6 Pages	60V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Features •BVCEO>60V •BVCEX>150V •BVECO>6V •IC=3.5AhighContinuousCollectorCurrent •VCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXTN25060BZ	文件：780.99 Kbytes Page：8 Pages	60V,SOT89,NPNmediumpowertransistor Features •BVCEO>60V •IC=5AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXTN25060BZ	文件：767.7 Kbytes Page：8 Pages	60V,SOT89,NPNmediumpowertransistor Description PackagedintheSOT89outlinethisnewlowsaturation60VNPNtransistoroffersextremelylowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. Features •Extremelylowequivalentonresistance;RCE(sat)=46mΩat5A •5a	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTN25060BZQ	文件：549.93 Kbytes Page：8 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications. Features •BVCEX>150V •BVCEO>60V •BVECO>6V •IC=5AContinuousCollectorCurrent •VCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXTN25060BZTA	文件：780.99 Kbytes Page：8 Pages	60V,SOT89,NPNmediumpowertransistor Features •BVCEO>60V •IC=5AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXTN25060BZTA	文件：767.7 Kbytes Page：8 Pages	60V,SOT89,NPNmediumpowertransistor Description PackagedintheSOT89outlinethisnewlowsaturation60VNPNtransistoroffersextremelylowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. Features •Extremelylowequivalentonresistance;RCE(sat)=46mΩat5A •5a	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTP25060BFH	文件：388.16 Kbytes Page：6 Pages	60V,SOT23,PNPmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Features •Higherpowerdiss	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTP25060BFH	文件：396.04 Kbytes Page：8 Pages	60V,SOT23,PNPmediumpowertransistor FeaturesandBenefits •BVCEO>-60VBreakdownVoltage •100Vforwardblockingvoltage •IC=-3AContinuousCollectorCurrent, •ICM=-9APeakPulseCurrent, •Lowsaturationvoltage,VCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXTP25060BFHTA	文件：396.04 Kbytes Page：8 Pages	60V,SOT23,PNPmediumpowertransistor FeaturesandBenefits •BVCEO>-60VBreakdownVoltage •100Vforwardblockingvoltage •IC=-3AContinuousCollectorCurrent, •ICM=-9APeakPulseCurrent, •Lowsaturationvoltage,VCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXTP25060BFHTA	文件：388.16 Kbytes Page：6 Pages	60V,SOT23,PNPmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Features •Higherpowerdiss	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

产品属性

产品编号：
ZXTN25060BZQTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
305mV @ 500mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，2V
频率 - 跃迁：
185MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
TRANS NPN 60V 5A SOT89-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ZXTN25060BZQTA	Diodes Incorporated	24+	TO-243AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	ZXTN25060BZQTA		23+	N/A	46380	正品授权货源可靠	询价
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