首页>ZXTN2007G>规格书详情

ZXTN2007G中文资料PDF规格书

ZXTN2007G
厂商型号

ZXTN2007G

参数属性

ZXTN2007G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 30V 7A SOT223-3

功能描述

30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

文件大小

125.37 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Zetex Semiconductors
企业简称

Zetex

中文名称

Zetex Semiconductors官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-7 20:00:00

ZXTN2007G规格书详情

DESCRIPTION

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 30V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

FEATURES

• Extemely low equivalent on-resistance; RSAT = 28m at 6.5A

• 7 amps continuous current

• Up to 20 amps peak current

• Very low saturation voltages

• Excellent hFE characteristics up to 20 amps

APPLICATIONS

• DC - DC converters

• MOSFET gate drivers

• Charging circuits

• Power switches

• Motor control

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTN2007GTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    220mV @ 300mA,6.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 7A SOT223-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ZETEX/DIODES
22+
SOT-223
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
DIODES
20+
SOT223
2000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
DIODES/美台
21+
SOT223
13880
公司只售原装,支持实单
询价
DIODES/美台
21+
SOT223
10000
原装,品质保证,请来电咨询
询价
ZETZX
2020+
SOT-223
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
询价
DIODES(美台)
23+
SOT223
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
DIODES/美台
23+
NA/
8250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
DIODES/美台
23+
SOT223
7188
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持
询价
DIODES/美台
23+
SOT-223-4
950
原装现货,专业配单专家
询价
ZETEX
17+
SOT-223
5810
只做原装正品
询价