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ZXT13N50DE6TA中文资料PDF规格书

ZXT13N50DE6TA
厂商型号

ZXT13N50DE6TA

参数属性

ZXT13N50DE6TA 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 50V 4A SOT26

功能描述

50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件大小

429.33 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-15 11:16:00

ZXT13N50DE6TA规格书详情

Features

• BVCEO > 50V

• IC = 4A Continuous Collector Current

• ICM = 10A Peak Pulse Current

• RCE(SAT) = 36mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

• Low Saturation Voltage (100mV max @ 1A)

• hFE Characterized up to 10A

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

Applications

• DC–DC Converters

• Power Management Functions

• Power Switches

• Motor Control

产品属性

  • 产品编号:

    ZXT13N50DE6TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    180mV @ 400mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    115MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    SOT-26

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 4A SOT26

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES(美台)
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SOT-26
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