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ZXT10P20DE6TC	文件：230.2 Kbytes Page：6 Pages	20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXT10P20DE6TC	文件：242.9 Kbytes Page：6 Pages	20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features •BVCEO>-20V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-6APeakPulseCurrent •RCE(sat)=96mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-220mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-6AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHSc	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXT10P20DE6TC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-23-6 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 2.5A SOT26	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
ZXT10P20DE6	文件：230.2 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXT10P20DE6	文件：242.9 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR Features •BVCEO>-20V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-6APeakPulseCurrent •RCE(sat)=96mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-220mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-6AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHSc	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXT10P20DE6TA	文件：230.2 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXT10P20DE6TA	文件：242.9 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR Features •BVCEO>-20V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-6APeakPulseCurrent •RCE(sat)=96mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-220mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-6AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHSc	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

产品属性

产品编号：
ZXT10P20DE6TC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 150mA，2.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
180MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商器件封装：
SOT-26
描述：
TRANS PNP 20V 2.5A SOT26

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