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ZXT10P12DE6	文件：232.51 Kbytes Page：6 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	Zetex Zetex Semiconductors
ZXT10P12DE6	文件：245.2 Kbytes Page：6 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features •BVCEO>-12V •IC=-3AContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •RCE(sat)=65mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-100mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-10AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHS	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXT10P12DE6	文件：438.3 Kbytes Page：7 Pages	12V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR IN SOT26	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXT10P12DE6TA	文件：245.2 Kbytes Page：6 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features •BVCEO>-12V •IC=-3AContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •RCE(sat)=65mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-100mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-10AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHS	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXT10P12DE6TA	文件：232.51 Kbytes Page：6 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	Zetex Zetex Semiconductors
ZXT10P12DE6TC	文件：232.51 Kbytes Page：6 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	Zetex Zetex Semiconductors
ZXT10P12DE6TC	文件：245.2 Kbytes Page：6 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features •BVCEO>-12V •IC=-3AContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •RCE(sat)=65mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-100mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-10AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHS	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXT10P12DE6_15	文件：438.3 Kbytes Page：7 Pages	12V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR IN SOT26	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXT10P12DE6TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-23-6 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 12V 3A SOT23-6	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
ZXT10P12DE6TC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-23-6 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 12V 3A SOT23-6	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威

详细参数

型号：
ZXT10P12DE6
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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