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EC6A11	文件：137.7 Kbytes Page：3 Pages	7.5WATT2:1INPUTRANGEDC-DCCONVERTERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
EC6A11	文件：183.38 Kbytes Page：2 Pages	7.5WATT2:1INPUTRANGEDC-DCCONVERTERS	CinconCincon Cincon	Cincon
EC6A11S	文件：137.7 Kbytes Page：3 Pages	7.5WATT2:1INPUTRANGEDC-DCCONVERTERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
FA6A11N	文件：273.92 Kbytes Page：7 Pages	2ndGenerationLLCCurrentResonantControlIC,?쏤A6A00NSeries?	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
JT6A11AX-AS	文件：887.41 Kbytes Page：26 Pages	CMOS1CHIPLSIFORLCDSLECTRONICCALCUTATOR	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SZ6A11	文件：146.48 Kbytes Page：2 Pages	6.0W,8.0W,and10W7.5-270VOLTSZENERDIODES	SSDI SSDI	SSDI
T6A11A	文件：887.41 Kbytes Page：26 Pages	CMOS1CHIPLSIFORLCDSLECTRONICCALCUTATOR	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
ZXMN6A11G	文件：1.02441 Mbytes Page：7 Pages	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthreshold •Lowga	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN6A11G	文件：591.13 Kbytes Page：8 Pages	60VSOT223N-channelenhancementmodeMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN6A11G	文件：620.52 Kbytes Page：8 Pages	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •DC-DCConverters •PowerManagementFunctions •DisconnectSwitches •MotorControl •	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXMN6A11GFTA	文件：1.02441 Mbytes Page：7 Pages	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthreshold •Lowga	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN6A11GFTC	文件：1.02441 Mbytes Page：7 Pages	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthreshold •Lowga	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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ZXMN6A11GTA	文件：620.52 Kbytes Page：8 Pages	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •DC-DCConverters •PowerManagementFunctions •DisconnectSwitches •MotorControl •	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXMN6A11GTA	文件：1.08995 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ZXMN6A11Z	文件：587.81 Kbytes Page：8 Pages	60VSOT89N-channelenhancementmodeMOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthresho	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXMN6A11Z	文件：576.86 Kbytes Page：8 Pages	60VSOT89N-channelenhancementmodeMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN6A11Z	文件：201.25 Kbytes Page：7 Pages	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET SUMMARY V(BR)DSS=60V;RDS(ON)=0.140ID=3.2A DESCRIPTION ThisnewgenerationofTRENCHMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapp	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN6A11ZTA	文件：201.25 Kbytes Page：7 Pages	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET SUMMARY V(BR)DSS=60V;RDS(ON)=0.140ID=3.2A DESCRIPTION ThisnewgenerationofTRENCHMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapp	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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详细参数

型号：
ZXMN6A11GTC
功能描述：
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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