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BC857A	文件：47.94 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC846andBC847. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857A	文件：44.95 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ComplementaryNPNTypes:BC846–BC848 ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BC857A	文件：363.71 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC857A	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC857A	文件：40.46 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC857A	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC857A	文件：1.37311 Mbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
BC857A	文件：852.79 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications	OLITECH Olitech Electronics Co.Ltd	OLITECH
BC857A	文件：498.37 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
BC857A	文件：683.91 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors ■Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
BC857A	文件：247.13 Kbytes Page：6 Pages	PNPgeneralpurposeTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC857A	文件：102.17 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC857A	文件：269.83 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846-BC848) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BC857A	文件：263.98 Kbytes Page：3 Pages	BC856A FEATURES ●GeneralPurposeTransistorPNPType ●Collectcurrent:-0.1A ●OperatingTemp.:-55°C~+150°C ●RoHScompliantproduct	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC857A	文件：456.56 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC857A	文件：69.08 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistor Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC857A	文件：201.1 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC857A	文件：164.69 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors Generaldescription PNPgeneral-purposetransistorsinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V) •AEC-Q101qualified Applications •General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC857A	文件：887.44 Kbytes Page：14 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC857A	文件：1.33965 Mbytes Page：5 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI

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产品属性

产品编号：
ZTX857
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 600mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，10V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
E-Line-3
供应商器件封装：
E-Line（TO-92 兼容）
描述：
TRANS NPN 300V 3A E-LINE

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