选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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ZETEXTO-92 |
29600 |
23+ |
一级分销商! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedE-Line-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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DIODES/美台NA/ |
4180 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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3180ZETEX |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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原装DIODESTO-92 |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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ZETEXTO-92 |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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DIODES/ZETEX原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DIODESN/A |
53067 |
2023+ |
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16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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DIODES-美台TO-92-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ZetexIncE-Line |
3587 |
07+/08+ |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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DIODES/美台EP3SC |
25500 |
23+ |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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原装DIODESTO-92 |
20000 |
19+ |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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DIODES/美台EP3SC |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Diodes IncorporatedE-Line-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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DIODES/美台TO-92 |
4100 |
19+ |
全新原装 实单必成 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ZETEXE-Line |
6230 |
17+ |
只做原装正品 |
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深圳市达恩科技有限公司10年
留言
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DiodesZetexNA |
3000 |
18+ |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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ZETEXTO-92 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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ZETEXTO-92 |
3175 |
0536+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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DIODESTO92-3 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
ZTX855采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
ZTX855图片
ZTX855价格
ZTX855价格:¥2.7069品牌:Diodes
生产厂家品牌为Diodes的ZTX855多少钱,想知道ZTX855价格是多少?参考价:¥2.7069。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,ZTX855批发价格及采购报价,ZTX855销售排行榜及行情走势,ZTX855报价。
ZTX855中文资料Alldatasheet PDF
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ZTX855STOA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX855STOB功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX855STZ功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
ZTX855
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
260mV @ 400mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 1A,5V
- 频率 - 跃迁:
90MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
E-Line-3
- 供应商器件封装:
E-Line(TO-92 兼容)
- 描述:
TRANS NPN 150V 4A E-LINE