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JE832HSGR

SUBMINIATUREINTERMEDIATEPOWERRELAY

HONGFAXiamen Hongfa Electroacoustic Co., Ltd.

宏发电声厦门宏发电声股份有限公司

JE832HSR

SUBMINIATUREINTERMEDIATEPOWERRELAY

HONGFAXiamen Hongfa Electroacoustic Co., Ltd.

宏发电声厦门宏发电声股份有限公司

JF832A-C

JF832AHPECompatibleTransceiverSFP100Base-LX(1310nm,SMF,10km,DOM)

Features ATGBICSJF832A100Base-LXsupportsadistanceofupto10kmoversingle-modefibre (SMF)usingawavelengthof1310nmviaanLCconnector. Digitalopticalmonitoring(DOM)supportisalsopresentenablingreal-time monitoringoftheparametersofthefibre optictransceiver. Ourproduc

ATGBICS

ATGBICS by Approved Technology

KRC832E

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT)

SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KRC832U

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT)

SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

LM832

DynamicNoiseReductionSystemDNR

GeneralDescription TheLM832isastereonoisereductioncircuitforusewith audioplaybacksystems.TheDNRsystemisnoncomplementary,meaningitdoesnotrequireencodedsourcematerial.Thesystemiscompatiblewithvirtuallyallprerecorded tapesandFMbroadcasts.Psychoacousticmasking

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMV832

LMV831Single/LMV832Dual/LMV834Quad3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMV832

OperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

LMV832MM

LMV831Single/LMV832Dual/LMV834Quad3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMV832MM

OperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

LMV832MM

3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMV832MM

3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMV832MM/NOPB

OperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

LMV832MME

OperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

LMV832MME

LMV831Single/LMV832Dual/LMV834Quad3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMV832MME

3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMV832MME/NOPB

OperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

LMV832MMEOPB

LMV831Single/LMV832Dual/LMV834Quad3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardened

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

LMV832MMNOPB

LMV831Single/LMV832Dual/LMV834Quad3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardened

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

LMV832MMX

LMV831Single/LMV832Dual/LMV834Quad3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

产品属性

  • 产品编号:

    ZMV832BTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    23.1pF @ 2V,1MHz

  • 电容比条件:

    C2/C20

  • 二极管类型:

    单路

  • 不同 Vr、F 时 Q 值:

    200 @ 3V,50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-76,SOD-323

  • 供应商器件封装:

    SOD-323

  • 描述:

    DIODE VAR CAP 22PF 25V SOD-323

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ZETEX
2008++
SOD-323
21800
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SOD-323SC-760805
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更多ZMV832BTA供应商 更新时间2024-5-14 16:00:00