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AP4410GM	文件：208.24 Kbytes Page：5 Pages	LowOn-Resistance,FastSwitching	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4410GM-HF	文件：57.73 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4410M	文件：78.42 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSO-8packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedfor	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM4410	文件：514.2 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/11.5A,RDS(ON)=9mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)@VGS=4.5V •HighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SO-8Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4410K	文件：514.2 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/11.5A,RDS(ON)=9mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)@VGS=4.5V •HighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SO-8Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4410KC-TR	文件：514.2 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/11.5A,RDS(ON)=9mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)@VGS=4.5V •HighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SO-8Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4410KC-TU	文件：514.2 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/11.5A,RDS(ON)=9mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)@VGS=4.5V •HighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SO-8Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
AUIRFB4410	文件：284.34 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFS4410Z	文件：294.85 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature FastSwitching RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax Lead-Free,RoHSCompliant AutomotiveQualified* SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,this HEXFET®PowerMOSFETutilizesthelat	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFS4410ZTRL	文件：294.85 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature FastSwitching RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax Lead-Free,RoHSCompliant AutomotiveQualified* SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,this HEXFET®PowerMOSFETutilizesthelat	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFS4410ZTRR	文件：294.85 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature FastSwitching RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax Lead-Free,RoHSCompliant AutomotiveQualified* SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,this HEXFET®PowerMOSFETutilizesthelat	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFSL4410Z	文件：294.85 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature FastSwitching RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax Lead-Free,RoHSCompliant AutomotiveQualified* SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,this HEXFET®PowerMOSFETutilizesthelat	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
BPF-F4410	文件：52.42 Kbytes Page：1 Pages	BARBEDPUSHFASTENER	RICHCORICHCO component 益升华益升华贸易(宁波)有限公司	RICHCO
BPF-F4410NT	文件：52.42 Kbytes Page：1 Pages	BARBEDPUSHFASTENER	RICHCORICHCO component 益升华益升华贸易(宁波)有限公司	RICHCO
BSO4410	文件：110.66 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
C4410	文件：73.74 Kbytes Page：1 Pages	3C22SOLIDBCPVCNSPVCSound,Alarm&SecurityCable	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CEM4410	文件：497.59 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,10A,RDS(ON)=13.8mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Surfacemountpackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEM4410A	文件：496.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CHM4410AJPT	文件：308.29 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CHM4410BJPT	文件：322.84 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO

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产品属性

产品编号：
ZMOD4410-EVK-DB
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估板 - 传感器
包装：
袋
传感器类型：
Gas
接口：
I²C
电压 - 供电：
1.7V ~ 3.6V
嵌入式：
无
所含物品：
板，电缆
使用的 IC/零件：
ZMOD4410
描述：
ZMOD4410-EVK-DB ZMOD4410 DAUGHTE

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更多ZMOD4410-EVK-DB供应商更新时间2024-5-22 8:58:00

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