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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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Diodes IncorporatedSOT-23-6 |
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更多ZXTS1000NE6TA功能描述:TRANS PNP SW LOW SAT SOT23-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
产品属性
- 产品编号:
ZXTS1000NE6TA
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP + 二极管(隔离式)
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
240mV @ 100mA,1.25A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 500mA,2V
- 频率 - 跃迁:
220MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-23-6
- 供应商器件封装:
SOT-23-6
- 描述:
TRANS PNP SW LOW SAT SOT23-6