| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
159392 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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DIODESSOT223 |
6000 |
15+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ZETEXSOT223 |
3646 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
6000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
7906200 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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DIODESSOT223 |
2000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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DIODES(美台)SOT-223 |
34 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedTO-261-4,TO-261AA |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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DIODES(美台)SOT-223 |
1612 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市中赛美电子科技有限公司8年
留言
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DIODES/美台SOT-223 |
12700 |
23+ |
买原装认准中赛美 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
2744 |
23+ |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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DIODESNA |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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深圳市英特法电子科技有限公司11年
留言
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DIODES/美台SOT-223 |
6000 |
2023+ |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
2744 |
20+ |
原装现货 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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ZETEXSOT223 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46180 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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DIODES/美台SOT-223-4 |
10000 |
22+ |
绝对全新原装现货热卖 |
ZXTP2013GTA采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
ZXTP2013GTA图片
ZXTP2013GTA价格
ZXTP2013GTA价格：￥1.8882品牌：Diodes
生产厂家品牌为Diodes的ZXTP2013GTA多少钱，想知道ZXTP2013GTA价格是多少？参考价：￥1.8882。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，ZXTP2013GTA批发价格及采购报价，ZXTP2013GTA销售排行榜及行情走势，ZXTP2013GTA报价。
ZXTP2013GTA中文资料Alldatasheet PDF
更多ZXTP2013GTA功能描述:两极晶体管 - BJT 100V PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
ZXTP2013GTA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
340mV @ 400mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1A，1V
- 频率 - 跃迁：
125MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223-3
- 描述：
TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
