选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
159392 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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DIODES/美台SOT-223 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
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DIODES/美台SOT223 |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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1000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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DIODES/美台SOT89 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ZETEXSOT89 |
7906200 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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DIODESSOT223 |
6000 |
15+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ZETEXSOT223 |
3646 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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DIODES(美台)SOT-223 |
34 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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DIODESSOT223 |
2000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市索歌特科技有限公司10年
留言
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15800 |
22+ |
华南区总代 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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DIODES/美台SOT-223 |
6895 |
2023+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedTO-243AA |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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DIODES(美台)SOT-89 |
1612 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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DIODESNA |
1000 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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DIODES/ZETEX原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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DIODES/美台NA |
120 |
23+ |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
ZXTP2013采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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ZXTP2013GTA价格
ZXTP2013GTA价格:¥1.8882品牌:Diodes
生产厂家品牌为Diodes的ZXTP2013GTA多少钱,想知道ZXTP2013GTA价格是多少?参考价:¥1.8882。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,ZXTP2013GTA批发价格及采购报价,ZXTP2013GTA销售排行榜及行情走势,ZXTP2013GTA报价。
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更多ZXTP2013G制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN
ZXTP2013GTA功能描述:两极晶体管 - BJT 100V PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2013GTC制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN
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ZXTP2013ZTA功能描述:两极晶体管 - BJT 100V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2