| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedE-Line-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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DIODES/ZETEX原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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DIODESTO92-3 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ZETEXNA/ |
19250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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ZETEXTO-92 |
16000 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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DIODESNA |
9627 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ZETEXE-Line |
1450 |
17+ |
只做原装正品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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DIODES-美台TO-92-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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ZETEXTO-92 |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ZetexIncE-Line |
7024 |
07+/08+ |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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DIODES/美台NA |
6000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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ZETEXTO-92 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Diodes IncorporatedE-Line-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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DIODESTO-92-3 |
3675 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ZETEXTO-92 |
16000 |
23+ |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
89950 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ZETEXTO-92 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedSOT-563,SOT-666 |
1520000 |
21+ |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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ZETEXTO92 |
3884 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ZETEXTO-92 |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
ZXTN2010A采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
ZXTN2010A图片
ZXTN2010ASTZ价格
ZXTN2010ASTZ价格：￥2.4032品牌：Zetex
生产厂家品牌为Zetex的ZXTN2010ASTZ多少钱，想知道ZXTN2010ASTZ价格是多少？参考价：￥2.4032。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，ZXTN2010ASTZ批发价格及采购报价，ZXTN2010ASTZ销售排行榜及行情走势，ZXTN2010ASTZ报价。
ZXTN2010A中文资料Alldatasheet PDF
更多ZXTN2010A功能描述:两极晶体管 - BJT 60V NPN Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN2010ASTOA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 4.5A 3-PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN2010ASTZ功能描述:两极晶体管 - BJT 60V NPN Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
ZXTN2010A
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
210mV @ 200mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，1V
- 频率 - 跃迁：
130MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
E-Line-3
- 供应商器件封装：
E-Line（TO-92 兼容）
- 描述：
TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE
