选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT23F |
158123 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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DIODES(美台)SOT-89-3 |
11370 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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DIODES(美台)SOT-89 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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DIODES/美台SOT89 |
7906200 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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DIODESSOT223 |
2000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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DIODES/美台SOT23F |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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DIODES/美台SOT-223 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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DIODES(美台)SOT-89 |
201 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
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32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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深圳市博亿诚科技有限公司2年
留言
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101 |
20+ |
普通 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedTO-243AA |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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DIODES(美台)SOT-223 |
1612 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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DIODES/美台NA |
680000 |
20+ |
订货原装进口假一罚十 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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原装ZETEXSOT-89 |
20000 |
19+ |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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68000 |
23+ |
订货原装进口假一罚十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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DiodesZetex双极型晶体管 |
5864 |
23+ |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedSOT-23-3 扁平引线 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedTO-261-4,TO-261AA |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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DIODESSOT-89-3 |
69052 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
ZXTN19100C采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
ZXTN19100C图片
ZXTN19100CFFTA价格
ZXTN19100CFFTA价格:¥1.4807品牌:Diodes
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ZXTN19100CZTA资讯
ZXTN19100CZTA全新原装现货
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ZXTN19100CZTA中文资料Alldatasheet PDF
更多ZXTN19100CFF制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:100V, SOT23F, NPN high gain power transistor
ZXTN19100CFFTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V Transitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN19100CG制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V NPN low sat medium power transistor in SOT223
ZXTN19100CGTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V 5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN19100CZ制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V NPN medium power transistor in SOT89
ZXTN19100CZTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V 5.25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2