| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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DIODES(美台)SOT-223 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
4000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
7906200 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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DIODESSOT223 |
12000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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DIODESQR |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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DIODESSOT-23F |
265 |
22+ |
绝对原装正品 |
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深圳市博亿诚科技有限公司2年
留言
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DIODESINCNA |
6000 |
19+ |
普通 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedTO-243AA |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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DIODES(美台)SOT-89 |
1612 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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DIODESSOT-223 |
11657 |
19+ |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
8800 |
21+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ZETEXSOT223 |
7500 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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DIODES/美台SOT-89 |
9852 |
1942+ |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
12000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ZETEXSOT89 |
47100 |
23+ |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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DIODES/美台SOT89 |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85100 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
ZXTN19020D采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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ZXTN19020DZTA价格
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更多ZXTN19020D制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V NPN high gain transistor
ZXTN19020DFF制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V, SOT23F, NPN high gain power transistor
ZXTN19020DFFTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN19020DG制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V NPN high gain transistor in SOT223
ZXTN19020DGTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN19020DZ制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V NPN high gain transistor in SOT89
ZXTN19020DZTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
