选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
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DIODES/美台8-SO |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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DIODES-美台SOP-8.贴片 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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Diodes8SOIC |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Diodes8SOIC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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DIODES/美台8-SO |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
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Diodes8SOIC |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
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DIODES/美台8-SO |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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DIODES-美台SOP-8.贴片 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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ZXMN6A10N8图片
ZXMN6A10N8TA中文资料Alldatasheet PDF
更多ZXMN6A10N8TA功能描述:MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件