| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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DIODES(美台)SOT-23-6 |
11344 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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DIODESSOT23-6 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DIODES/美台SOT236 |
7906200 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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DIODES/美台SOT23-6 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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SOT23-6 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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DIODESSOT23-6 |
15000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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美台DIODESSOT23- |
30000 |
22+ |
原装优质现货订货渠道商 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT23-6 |
200000 |
23+ |
有挂就有货,只做原装免费送样-可BOM配单 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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DIODES/美台SOT-23-6 |
3000 |
21+ |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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DIODES/美台原厂封装 |
25000 |
2022+ |
100%进口原装正品现货,公司原装现货众多欢迎加微信咨 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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DIODESSOT23-6 |
4769 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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DIODES/美台SOT236 |
6888998 |
23+ |
一站式BOM配单 |
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深圳市恒诺芯科技有限公司3年
留言
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NA |
33220 |
2322+ |
无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!! |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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DIODES/美台SOT23-6 |
6000 |
23+ |
有单必成,承诺原装正品 |
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深圳市德力诚信科技有限公司10年
留言
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DIODES INCORPORATEDNA |
500 |
23+ |
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现货!就到京北通宇商城 |
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北京京北通宇电子元件有限公司11年
留言
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DIODES INCORPORATEDNA |
500 |
2236 |
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现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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DIODESSOT23-6 |
10000 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ZETEXSOT-23-6 |
5810 |
17+ |
只做原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DIODESSOT23-6 |
55979 |
2023+ |
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16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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DIODESSOT23-6 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
ZXGD3003E6TA采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
ZXGD3003E6TA图片
ZXGD3003E6TA价格
ZXGD3003E6TA价格：￥1.3356品牌：Diodes
生产厂家品牌为Diodes的ZXGD3003E6TA多少钱，想知道ZXGD3003E6TA价格是多少？参考价：￥1.3356。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，ZXGD3003E6TA批发价格及采购报价，ZXGD3003E6TA销售排行榜及行情走势，ZXGD3003E6TA报价。
ZXGD3003E6TA中文资料Alldatasheet PDF
更多ZXGD3003E6TA功能描述:功率驱动器IC 5A Gate Driver Mosfet RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
ZXGD3003E6TA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
单路
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
40V（最大）
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
5A，5A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
8.9ns，8.9ns
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-23-6
- 供应商器件封装：
SOT-23-6
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
