选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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DIODES/美台SOT23 |
158739 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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DIODES(美台)SOT-23 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳信泰电子器材有限公司10年
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DIODES/美台SOT-23 |
9000 |
17+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
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DIODES达尔SOT23 |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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DIODES/美台SOT-23 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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DIODES/美台SOT23 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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DIODES/美台SOT-23 |
413 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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DIODES/美台SOT23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
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ZETEXSOT-23 |
64 |
22+ |
只做原装 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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DIODES原厂原包原封△ |
42000 |
ROHS全新原装 |
原装代理经销特价原装现货小批量支持QQ350053121 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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DIODES/美台SOT-23 |
36000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-23 |
200000 |
23+ |
有挂就有货,只做原装免费送样-可BOM配单 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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ZETEXSOT23 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市芯诚实创科技有限公司2年
留言
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ZETEXSOT-23 |
3080 |
2022 |
原装正品 |
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深圳市富安睿科技有限公司6年
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ZETEXSOT-23 |
6000 |
21+ |
绝对原裝现货 |
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北京天阳诚业科贸有限公司16年
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DIODES INCORPORATEDSOT-23 |
3353 |
2134 |
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FET 类型N 通道 技术MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss)60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)150mA(Ta) 驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(大值)2.4V @ 1mA Vgs(大值)±20V 不同 Vds 时输 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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ZETEXSOT-23 |
45000 |
23+ |
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热卖优势现货 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedSOT-23-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ZETEXSOT23 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市盈盛科创科技有限公司9年
留言
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DIODESSOT-23 |
15000 |
22+ |
进口原装 假一罚十 现货 |
ZVN3306采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
ZVN3306图片
ZVN3306FTA-CUTTAPE价格
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ZVN3306FTA中文资料Alldatasheet PDF
更多ZVN3306A功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN3306ASTOA功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN3306ASTOB功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN3306ASTZ功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN3306B功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) | TO-39
ZVN3306D功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
ZVN3306E功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 850MA I(D) | DIP
ZVN3306F制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 150mA SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.4V ;RoHS Compliant: Yes
ZVN3306FTA功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN3306FTA-CUT TAPE制造商:DIODES 功能描述:ZVN3306F Series 60 V 5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23