| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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DIODESINCNA |
12000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedE-Line-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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ZETEXTO-92 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市中赛美电子科技有限公司8年
留言
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DIODES/美台TO-92 |
12700 |
23+ |
买原装认准中赛美 |
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深圳市英特法电子科技有限公司11年
留言
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DIODES/美台TO-92 |
6000 |
2023+ |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45980 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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DIODESINCNA |
10000 |
22+ |
绝对全新原装现货热卖 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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DIODES/美台NA |
30000 |
23+ |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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DIODES/美台TO-92 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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ZetesTO-92 |
5989 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台TO-92 |
12000 |
22+ |
只有原装,绝对原装,假一罚十 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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DIODES/美台TO-92 |
6000 |
2023+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ZETEXTO-92 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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DIODESINCN/A |
12000 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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DIODES/美台TO-92 |
8080 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台TO-92 |
10000 |
21+ |
原装,品质保证,请来电咨询 |
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深圳市骏创达科技有限公司10年
留言
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other |
239987 |
2308+ |
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一级代理,原装正品,公司现货! |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
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DIODES/美台EP3SC |
6000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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深圳市星佑电子有限公司5年
留言
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DIODES/美台TO-92 |
10000 |
21+ |
原装,品质保证,请来电咨询 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedTO-92 |
8000 |
21+ |
正规渠道原装正品现货 |
ZTX749采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
ZTX749图片
ZTX749价格
ZTX749价格：￥1.5480品牌：Diodes
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ZTX749中文资料Alldatasheet PDF
更多ZTX749功能描述:两极晶体管 - BJT PNP MED PWR 25V 2A -35VCBO -25VCEO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX749_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT Low Sat Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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ZTX749_J61Z功能描述:两极晶体管 - BJT Low Sat Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX749_Q功能描述:两极晶体管 - BJT Low Sat Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX749A功能描述:TRANSISTOR LO SAT PNP 35V T0-226 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
ZTX749A_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX749A_J05Z功能描述:两极晶体管 - BJT 35V PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX749A_J61Z功能描述:两极晶体管 - BJT 35V PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX749A_Q功能描述:两极晶体管 - BJT 35V PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
ZTX749
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-226
- 描述：
TRANS PNP 25V 2A TO226
